台湾百利通亚陶晶振的技术为高带宽、高速串行连接协议所引起的挑战提供了系统设计解决方案.Pericom百利通亚陶晶振公司于1990年由许志明和许志恒(Alex Hui 和 John Hui)共同在美国加州圣何西市创立,公司由此蓬勃发展成为一家在全球拥有超过900名员工的公司,并在北美(我们的总部所在地)和亚洲建立了设计中心;亚陶晶振的技术和销售支持办事处遍布全球.
百利通亚陶晶振,贴片晶振,FX晶振,FX0800015晶振,小体积贴片晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
超小型石英贴片晶振晶片的设计:石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.002mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。
百利通亚陶晶振规格 |
单位 |
FX贴片晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom6 |
6MHZ~125.0MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
以下是石英晶振电路设计匹配问题:
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。
一个稳定的石英晶体振荡器电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。
(3)振荡期间测量R的值。
(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。SIWARD晶振,贴片晶振,SX-5032晶振