美国SiTime晶振,3225贴片晶振,SiT9120系列,差分晶振,进口陶瓷晶振,服务器晶振
频率：25 MHz~212.5 MHz
尺寸：3.2 x 2.5mm
美国SiTime晶振,3225贴片晶振,SiT9120系列,差分晶振,进口陶瓷晶振,服务器晶振
美国SiTime晶振中的SiT9120系列为差分晶振，频率范围是25~212.5MHz，进口陶瓷晶振，有源晶振，六脚贴片晶振，LVPECL和LVDS输出，0.6 ps RMS相位超过12 kHz到20 MHz带宽的抖动（随机），频率稳定性低至±10 ppm，工业和扩展的商业温度范围，行业标准包装：3.2 x 2.5、5.0 x 3.2和7.0 x 5.0 mm x mm。产品很适用于10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道、PCI-Express，电信，网络，仪器仪表，存储，服务器等。差分晶振可提供两种相位彼此完全相反的信号, 差分晶体振荡器属于行业里极其高端 的有源晶振,拥有 LVDS，LVPECL，HCMOS 等输出方式,我们常见的是贴片差分晶振,体积有 微小型也有大体积,常规的输出方式是 LVDS,因此在业界中还有 LVDS 差分晶振这一说法, 军事设备与工业设备应用比较比较多。
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美国SiTime硅晶振中的SiT9120系列为差分晶振，频率范围是25~212.5MHz，进口陶瓷晶振，有源晶振，六脚贴片晶振，LVPECL和LVDS输出，0.6 ps RMS相位超过12 kHz到20 MHz带宽的抖动（随机），频率稳定性低至±10 ppm，工业和扩展的商业温度范围，行业标准包装：3.2 x 2.5、5.0 x 3.2和7.0 x 5.0 mm x mm。产品很适用于10GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道、PCI-Express，电信，网络，仪器仪表，存储，服务器等。差分晶振可提供两种相位彼此完全相反的信号, 差分晶体振荡器属于行业里极其高端 的有源晶振,拥有 LVDS，LVPECL，HCMOS 等输出方式,我们常见的是贴片差分晶振,体积有 微小型也有大体积,常规的输出方式是 LVDS,因此在业界中还有 LVDS 差分晶振这一说法, 军事设备与工业设备应用比较比较多。
差分晶振是一种常见的电子元件，可用于许多应用领域。
1. 提高抗干扰能力：差分晶振通过在输入和输出引脚之间使用差分信号传输，可以主动抵消电磁干扰和噪声干扰，提高系统的抗干扰能力。
2. 减小时钟抖动：差分晶振可以减小时钟信号的抖动程度，提供更稳定、更精确的时钟信号，有助于提高系统的性能和稳定性。
3. 改善时钟信号传输质量：差分晶振可以在时钟信号传输过程中提供更高的信号品质，能够有效降低信号传输的损耗和失真，提高信号传输的可靠性和稳定性。
4. 增加噪声容限：差分晶振可以增加时钟信号的噪声容限，提供更大的时钟信号幅度，降低时钟信号的失真和抖动，有助于保持信号的完整性和准确性。
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| Parameters | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit | Condition | |||||||||||||||||
| LVPECL and LVDS, Common Electrical Characteristics | |||||||||||||||||||||||
| Supply Voltage | Vdd | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||||||||||||||||||
| 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | ||||||||||||||||||||
| 2.25 | – | 3.63 | V | Termination schemes inFigures 1 and 2- XX ordering code | |||||||||||||||||||
| Output Frequency Range | f | 25 | – | 212.5 | MHz | Seelist of standard frequencies | |||||||||||||||||
| Frequency Stability | F_stab | -10 | – | +10 | ppm |
Inclusive of initial tolerance, operating temperature,
rated power supply voltage, and load variations
|
|||||||||||||||||
| -20 | – | +20 | ppm | ||||||||||||||||||||
| -25 | – | +25 | ppm | ||||||||||||||||||||
| -50 | – | +50 | ppm | ||||||||||||||||||||
| First Year Aging | F_aging1 | -2 | – | +2 | ppm | 25°C | |||||||||||||||||
| 10-year Aging | F_aging10 | -5 | – | +5 | ppm | 25°C | |||||||||||||||||
| Operating Temperature Range | T_use | -40 | – | +85 | °C | Industrial | |||||||||||||||||
| -20 | – | +70 | °C | Extended Commercial | |||||||||||||||||||
| Input Voltage High | VIH | 70% | – | – | Vdd |
Pin 1, OE or ST
|
|||||||||||||||||
| Input Voltage Low | VIL | – | – | 30% | Vdd |
Pin 1, OE or ST
|
|||||||||||||||||
|
Input Pull-up Impedance
|
Z_in |
– | 100 | 250 | kΩ |
Pin 1, OE logic high or logic low, or ST logic high
|
|||||||||||||||||
| 2 | – | – | MΩ |
Pin 1, ST logic low
|
|||||||||||||||||||
| Start-up Time | T_start | – | 6 | 10 | ms | Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value. | |||||||||||||||||
|
Resume Time |
T_resume |
– |
6 |
10 |
ms |
In Standby mode, measured from the time ST pin crosses
50% threshold. |
|||||||||||||||||
| Duty Cycle | DC | 45 | – | 55 | % | Contact SiTimefor tighter dutycycle | |||||||||||||||||
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