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美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振

频率:16MHZ

尺寸:3.2x2.5mm

美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振,尺寸3.2x2.5mm,频率16MHZ,四脚贴片晶振,有源谐振器,有源晶振,SMD振荡器,带电压晶振,有源贴片晶振,3225mm有源晶振,低功耗有源谐振器,低相位有源谐振器,轻薄型谐振器,低相位有源谐振器,医疗专用晶振,航空电子晶振,汽车应用晶振,高温专用晶振,工业应用晶振,网络设备晶振,6G通信模块晶振。

XCalibur sit 1418有源谐振器是高温石英晶体谐振器的替代产品。作为一款有源MEMS器件,SiT1418消除了与晶体谐振器相关的问题,例如所有条件下的冷启动、晶体运动串联电阻(ESR)补偿、负电阻测试以及对调谐电容的需求。一个XCalibur有源谐振器可以驱动多达两个时钟输入。与传统晶体谐振器相比,XCalibur谐振器具有更好的可靠性和更好的抗冲击、振动和EMI能力。SiT1418提供业界最佳的0.1ppb/g振动灵敏度、10,000 g冲击和70 g抗振性。该进口有源晶振器件还具有宽频率范围、出色的稳定性和较短的交付周期,适合工业、医疗、汽车、航空电子和其它高温应用。非AEC-Q100汽车、航空电子设备和其他高温应用,还可以用于工业传感器、PLC、电机伺服、户外网络设备、医疗视频摄像头、资产跟踪系统等。美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振.

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美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振,尺寸3.2x2.5mm,频率16MHZ,四脚贴片晶振,有源谐振器,有源晶振,SMD振荡器,带电压晶振,有源贴片晶振,3225mm有源晶振,低功耗有源谐振器,低相位有源谐振器,轻薄型谐振器,低相位有源谐振器,医疗专用晶振,航空电子晶振,汽车应用晶振,高温专用晶振,工业应用晶振,网络设备晶振,6G通信模块晶振。

XCalibur sit 1418有源谐振器是高温石英晶体谐振器的替代产品。作为一款有源MEMS器件,SiT1418消除了与晶体谐振器相关的问题,例如所有条件下的冷启动、晶体运动串联电阻(ESR)补偿、负电阻测试以及对调谐电容的需求。一个XCalibur有源谐振器可以驱动多达两个时钟输入。与传统晶体谐振器相比,XCalibur谐振器具有更好的可靠性和更好的抗冲击、振动和EMI能力。SiT1418提供业界最佳的0.1ppb/g振动灵敏度、10,000 g冲击和70 g抗振性。该进口有源晶振器件还具有宽频率范围、出色的稳定性和较短的交付周期,适合工业、医疗、汽车、航空电子和其它高温应用。非AEC-Q100汽车、航空电子设备和其他高温应用,还可以用于工业传感器、PLC、电机伺服、户外网络设备、医疗视频摄像头、资产跟踪系统等。美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振.2

美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振        参数表

Parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
Frequency Range
Output Frequency Range f 1 110 MHz Refer toTable 3for a list of supported frequencies
Frequency Stability and Aging
Frequency Stability F_stab -15 15 ppm At 25°C
-20 20 ppm Inclusive of Initial tolerance at 25°C, 1st year aging at 25°C,
-25 25 ppm and variations over operating temperature, rated power
-30 30 ppm supply voltage and load
-50 50 ppm
Operating TemperatureRange
Operating Temperature T_use -40 105 °C Extended Industrial
Range -40 125 °C Automotive
-40 150 °C Contact SiTime
Supply Voltage and Current Consumption
Supply Voltage Vdd 1.62 1.8 1.98 V
2.25 2.5 2.75 V
2.52 2.8 3.08 V
2.7 3 3.3 V
2.97 3.3 3.63 V
2.25 3.63 V
Current Consumption Idd 3.8 4.7 mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.8 V, 3.0 V or 3.3 V
3.6 4.5 mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 2.5 V
3.5 4.5 mA No load condition, f = 20 MHz, Vdd = 1.8 V

Parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
LVCMOS OutputCharacteristics
Duty Cycle DC 45 55 % All Vdds
Rise/Fall Time Tr, Tf 1.0 2.0 ns Vdd = 2.5 V, 2.8 V,3.0 or 3.3 V, 20% - 80%
1.3 2.5 ns Vdd = 1.8 V, 20% - 80%
1.0 3 ns Vdd = 2.25 V - 3.63 V, 20% - 80%
Output High Voltage VOH 90%     Vdd IOH = -4 mA (Vdd = 3.0 V or 3.3 V)
IOH = -3 mA (Vdd = 2.8 V or 2.5 V)
IOH = -2 mA (Vdd = 1.8 V)
Output Low Voltage VOL   10% Vdd IOL = 4 mA (Vdd = 3.0 V or 3.3 V)
IOL = 3 mA (Vdd = 2.8 V or 2.5 V)
IOL = 2 mA (Vdd = 1.8 V)
Startup Timing
Startup Time T_start 5 ms Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value
Jitter
RMS Period Jitter T_jitt 1.6 2.5 ps f = 75 MHz, Vdd = 2.5 V, 2.8 V, 3.0 V or 3.3 V
1.9 3 ps f = 75 MHz, Vdd = 1.8 V
RMS Phase Jitter (random) T_phj 0.5 0.8 ps f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz to 7.5 MHz
1.3 2 ps f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz to 20 MHz
3美国Sitime晶振,SiT1418BA-21-18N -16.000000D,6G通信模块晶振       尺寸SiT1418B

SMD振荡器产品特性:

没有运动系列电阻(ESR)补偿

没有负电阻测试

保证振荡器启动在所有条件下

全包频率稳定性低至±20ppm在扩展温度范围(-40°C到125°C)。

-55°C选项参考SiT1420和SiT1421

基本频率1MHz和1MHz110MHz精确到6小数位

电源电压1.8 V或2.5V3.3V

行业最好的g灵敏度0.1ppb/g

低功耗3.5 mA典型在1.8 V

LVCMOS兼容输出

行业标准包: 2.5x2.0,3.2x2.5毫米x mm

RoHS和达到兼容,无pb,无卤和无锑

AEC-Q100有源谐振器

SiT1418B 1SiT1418B 2SiT1418B 3

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