EPSON晶振,贴片晶振,TG-5006CE晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
石英晶振真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
13-52MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。 （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。
一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是晶振阻力的至少五倍。它RIVER晶振可写为|-R|>5的Rr。
例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：
线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。
（3）振荡期间测量R的值。
（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。
附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。
如果贴片晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：
降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）。
采用具有较低电阻（RR）的石英晶振。
使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。
当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路加湿器雾化片是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。
但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为晶体没有足够的输出波形振幅。
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