石英晶振的切割设计:用不同角度对SMD晶体的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。
NDK晶振,贴片晶振,NX5032SD晶振,SMD进口晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
日本电波工业株式会社作为晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立。现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的石英晶体谐振器元器件产品以及应用。晶振技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力。
NDK晶振规格 |
单位 |
NX5032SD晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
9.75~40MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±15× 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±50×10-6/-40°C~+150°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12pF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C —+85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
使用环境(温度和湿度):请在规定的温度范围内使用低消耗晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。NDK晶振,贴片晶振,NX5032SD晶振,SMD进口晶振
关于冲洗清洁音叉型晶振由于采用小型、无源SMD晶振芯片,以及相对而言频率与超音波清洁器相近,所以会由于共振而容易受到破坏,因此请不要用超音波清洁器来冲洗晶振。 关于机械性冲击(1) 从设计角度而言,即使石英晶振从高度75cm处落到硬质木板上三次,按照设计不会发生什么问题,但因落下时的不同条件而异,有可能导致石英芯片的破损。
在使之落下或对它施加冲击之时,在使用之前,建议确认一下振荡检查等的条件。(2)进口贴片晶振与电阻以及电容器的芯片产品不同,由于在内部对石英晶振晶片进行了密封保护,因此关于在自动安装时由于冲击而导致的影响,请在使用之前,恳请贵公司另外进行确认工作。(3) 请尽量避免将本公司的音叉型晶振与机械性振动源(包括超声波振动源)安装到同一块基板上,不得已要安装到同一块基板上时,请确保晶振能正常工作。
NDK晶振集团将:不论何时何地尽可能的进行源头污染预防。为环境目标指标的建立与评审提供框架。通过金属面无源晶体充分利用或回收等方法实现对自然资源的保持。NDK晶振集团将确保其产品及相关设施满足甚至超出国家的、州立的以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时该公司尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动。 在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标,同时在各种经营与生产活动中完全遵守并符合现行所有标准规范的要求。NDK晶振,贴片晶振,NX5032SD晶振,SMD进口晶振
NDK集团将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少金属壳4脚谐振器废物产生和排放。我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作。我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意。
NDK晶振所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规。为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系。消除事故和环境方面的偶发事件,减少废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对5032无源晶振紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应。对我们的产品进行检验,同时告知我们的员工顾客以及公众,如何安全的使用,如何使用对环境影响较小,帮助我们的雇员合同方商业伙伴服务提供上理解他们的行为如何影响着环境。公司的各项能源、资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。