超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于贴片石英晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作，从而导致产品在客户端不能正常使用，晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题，公司在此方面通过理论与实践相结合，模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序，该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。
爱普生晶振,压控温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410086晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
爱普生株式会社爱普生拓优科梦,（EPSON — YOCOM）1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产石英晶体振荡器,1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.
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项目 |
符号 |
晶振规格 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
10~50MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
3.0,5.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃to +90℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
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请联系我们查看更多资料 |
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H: -40℃to +85℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
K: ±0.1 × 10-6 |
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L: ±0.25× 10-6 |
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H: ±0.28× 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15pF |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
爱普生VC-TCXO贴片有源振荡器型号列表:
爱普生VC-TCXO贴片有源振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG5032CAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
30.720000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 6.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
40.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 6.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032SAN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032SAN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032SAN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032SAN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032SAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
X1G0044310101
TG5032CAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044310102
TG5032CAN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044310103
TG5032CAN
30.720000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 6.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044310104
TG5032CAN
40.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 6.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044410086
TG5032SAN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044410088
TG5032SAN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044410093
TG5032SAN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044410097
TG5032SAN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
X1G0044410101
TG5032SAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存石英有源晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25% RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。爱普生晶振,压控温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410086晶振
耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏高稳定性晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保日产石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响. 爱普生晶振,压控温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410086晶振
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器, 5032有源振荡器,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.
爱普生晶振集团不断改进设计,优化工艺,调整工厂布局,采取相应措施,减少各种污染环境的因素,尽可能地节省资源和能源,积极保护厂区和周围地区的环境,在本公司石英晶振,金属面晶体振荡器,压电石英晶体、有源晶体的生产与经营过程中充分考虑对环境的影响,为人类的健康生存和持续发展作出贡献.
日本大真空晶振,温补晶振,DSB535SG晶振,石英晶振
爱普生晶振,压控温补晶振,TG5032CGN晶振,进口晶振
爱普生晶振,压控温补晶振,TG5032SGN晶振,日产晶振
爱普生晶振,压控温补晶振,TG5032SFN晶振,金属面晶振
NDK晶振,温补晶振,NT5032BA晶振,Oscillator
