进口晶振,石英晶振,SG-210SED晶振

EPSON晶振,贴片晶振,SG-210SED晶振,压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

石英晶振曲率半径加工技术：石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半径的工艺设计（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	50-80MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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我们可以改善的频率输出的偏差超过范围由以下几个方法：

调整外部电容，Cd和CG的值。

如果由频率计数器测量频率比目标频率高，要增加外部电容CL（或Cd以及C 8的值），以降低频率到我们的目标频率，反之亦然。

可以采用不同负载电容（CL）的晶振试用。

试用贴片晶振具有较低电容若频率比目标频率超高很多的话。

请检查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正确的电容是通过和频率调节到目标之后。根据该波形振幅收缩，由于增加外部电容，请使用方法2调整频率（较低的外部电容，并采用低电容的晶体）的情况。

频率输出频率的目标只有三分之一。

下面的曲线表示晶体的电阻的特征：

石英晶振具有多种振动模式，如基频， 3次泛音，5次泛音等等。当基频模式应用时，晶振的电阻是最低的，这意味着它是最简单的石英晶体振荡器。当第三色调模式被应用，一个放大电路必须被利用以降低基本模式的频率反馈到所述延伸小于所述第三音调模式。因此，如果频率是只有三分之一的目标频率时，要检查是否放大处理电路被施加或它的设定值就足够了，因为电路的环境适合于基本模式，而不是第三次泛音调模式。

该电路可能不振荡，如果放大电路不施加或它的设定值是不足够的。

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