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DAISHINKU ( CHINA KONUAER ) CO.,LTD

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高品质CTS欧美7050晶振357,357LB3I019M4400压控晶振

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产品简介

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产品详情

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CTS晶振规格

单位

晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

19.44MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C ~ +85°C

裸存

工作温度

T_use

-20°C ~ +70°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±20× 10-6(标准),
(±15 × 10-6~ ±50 × 10-6可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.kdscrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

3pF ,5PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年


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高品质CTS欧美7050晶振357,357LB3I019M4400压控晶振

357 7050 VCXO

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高品质CTS欧美7050晶振357,357LB3I019M4400压控晶振

噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。

电源:线路电源的线路阻抗应尽可能低。

输出负载:建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。

未用输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。

热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的温补晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。

安装:石英贴片晶振的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。

通电不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。

高品质CTS欧美7050晶振357,357LB3I019M4400压控晶振

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高品质CTS欧美7050晶振357,357LB3I019M4400压控晶振CTS晶振公司集团作为“地球内企业”,在保护地球环境方面发挥着领导作用。我们尊重历史、文化和传统的多样性,蓝牙晶振并致力于“CSR经营”和“环境经营”。为取得社会的信任,为推动环境负荷最小化,CTS晶振集团还开展了各种各样的活动。

CTS晶振集团在“制造、使用、有效利用、再利用”这样一个产品生命周期中,努力创造丰富的价值,无源石英晶体给社会带来温馨和安宁,感动和惊喜,同时为减少环境影响,努力做好“防止地球变暖、有效利用资源、对化学物质进行管理”,实现与地球的和谐相处。

CTS晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理,CTS贴片晶振尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善。

高品质CTS欧美7050晶振357,357LB3I019M4400压控晶振

357(1)


357(2)

357(3)

原厂代码 生产商品牌 型号 类型 频率 输出 电压 频率稳定度
357LB3I032M7680 CTS晶振 357 VCXO 32.768MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I032M7680 CTS晶振 357 VCXO 32.768MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I032M7680 CTS晶振 357 VCXO 32.768MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I040M0000 CTS晶振 357 VCXO 40MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I040M0000 CTS晶振 357 VCXO 40MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I040M0000 CTS晶振 357 VCXO 40MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I002M0480 CTS晶振 357 VCXO 2.048MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I002M0480 CTS晶振 357 VCXO 2.048MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I002M0480 CTS晶振 357 VCXO 2.048MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I027M0000 CTS晶振 357 VCXO 27MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I027M0000 CTS晶振 357 VCXO 27MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I027M0000 CTS晶振 357 VCXO 27MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I004M0960 CTS晶振 357 VCXO 4.096MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I004M0960 CTS晶振 357 VCXO 4.096MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I004M0960 CTS晶振 357 VCXO 4.096MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I019M4400 CTS晶振 357 VCXO 19.44MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I019M4400 CTS晶振 357 VCXO 19.44MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I019M4400 CTS晶振 357 VCXO 19.44MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I001M5440 CTS晶振 357 VCXO 1.544MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I001M5440 CTS晶振 357 VCXO 1.544MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I001M5440 CTS晶振 357 VCXO 1.544MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I006M1760 CTS晶振 357 VCXO 6.176MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I016M3840 CTS晶振 357 VCXO 16.384MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I016M3840 CTS晶振 357 VCXO 16.384MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I016M3840 CTS晶振 357 VCXO 16.384MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I020M0000 CTS晶振 357 VCXO 20MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I020M0000 CTS晶振 357 VCXO 20MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3I020M0000 CTS晶振 357 VCXO 20MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3C024M5760 CTS晶振 357 VCXO 24.576MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm
357LB3C027M0000 CTS晶振 357 VCXO 27MHz HCMOS, TTL 3.3V ±50ppm

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