Transko特兰斯科晶振|CS12-F5010HM05-40.000M-TR|6G通讯模块晶体
频率：40MHZ
尺寸：1.2x1.0mm
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Transko特兰斯科晶振|CS12-F5010HM05-40.000M-TR|6G通讯模块晶体 参数表
| ■ SPECIFICATION | |||||||||||||||||||||||||||||
| FREQUENCY RANGE | 40.000MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| FREQUENCY TOLERANCE @ 25°C | ±7ppm ~ 50ppm (See P/N guide for other options) | ||||||||||||||||||||||||||||
| FREQUENCY STABILITY | ±10ppm ~ 50ppm (See P/N guide for other options) | ||||||||||||||||||||||||||||
| OPERATING TEMPERATURE RANGE | STD: 0°C ~ 70°C, Option: -40°C ~ 125°C (See P/N guide for other options) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STORAGE TEMPERATURE RANGE | - 55°C ~ 125°C | ||||||||||||||||||||||||||||
| LOAD CAPACITANCE | 5pF, 6pF, 7pF (See P/N guide, other option available) | ||||||||||||||||||||||||||||
| SHUNT CAPACITANCE | 7.0pF max. | ||||||||||||||||||||||||||||
| INSULATION RESISTANCE | 500MΩ min. @ 100VDC ± 15VDC | ||||||||||||||||||||||||||||
| DRIVE LEVEL | 100µW max. | ||||||||||||||||||||||||||||
| AGING @ 25°C ± 3°C | ±3.0ppm / 1st year max. | ||||||||||||||||||||||||||||
| EQUIVALENT SERIES RESISTANCE |
36.000MHz - 40.000MHz: 150 Ω max. 40.001MHz - 48.000MHz: 80 Ωmax. 48.001MHz - 80.000MHz: 60 Ωmax. |
||||||||||||||||||||||||||||
| OPERATION MODE | AT Cut, Fundamental | ||||||||||||||||||||||||||||
Transko特兰斯科晶振|CS12-F5010HM05-40.000M-TR|6G通讯模块晶体 尺寸图
产品特性：
世界上最小的石英晶振晶体单元
可根据要求提供符合AEC-Q200的规格
适用于ROHS回流
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