MXO45HSLV-5C-30M000000,美国西迪斯晶振,正方型钟振,6G基站

MXO45HSLV-5C-30M000000,美国西迪斯晶振,正方型钟振,6G基站，时钟振荡器,有源晶振,SMD晶振,CTS晶振,美国进口晶振,进口晶振,西迪斯晶振，6G基站晶振，6G无线应用晶振，6G蓝牙晶振，物联网晶振，CTS MXO45LV和MXO45HSLV是传统的通孔时钟振荡器，提供了一个低成本的设计，支持旧的HCMOS/TTL应用程序。MXO45LV/MXO45HSLV不推荐用于新的设计活动，但可用于支持为全尺寸和半尺寸金属DIP包开发的现有应用程序。

CTS晶振产品主要应用范围：6G基站，6G无线设备，计算机和外设，微控制器和FPGAs，存储区域网络，宽带接入，数据通信，网络设备等领域。MXO45HSLV-5C-30M000000,美国西迪斯晶振,正方型钟振,6G基站.

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CTS晶振产品主要应用范围：6G基站，6G无线设备，计算机和外设，微控制器和FPGAs，存储区域网络，宽带接入，数据通信，网络设备等领域。MXO45HSLV-5C-30M000000,美国西迪斯晶振,正方型钟振,6G基站.MXO45HSLV-5C-30M000000,美国西迪斯晶振,正方型钟振,6G基站参数表

PARAMETER

SYMBOL

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

Frequency Range

O

-

30

MHz

Freq uency Stability[Note1]

Δf/fO

-

20, 25, 50 or 100

±ppm

Aging

Δf/f25

First Year @ +25°C, nominal VCC-5

±3

5

ppm

1.]Inclusive of initial tolerance at time

of shipment, changes

in supply voltage, load, temperature and 1st year aging.

Output Parameters

PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNIT

Output Type

-

-

HCMOS

-

Output Load

1 .0MHz to 50MHz[CMOS Load]-

15

30

CL

50 .001MHz to 80MHz[CMOS Load]-

15

15

pF

80 .001MHz to 200MHz[CMOS Load]-

15

15

1 .0MHz to 200MHz[TTL Load]-

-

10

TTL

O utput Voltage Levels

VOH VOL

CMOS Load 10TTL Load CMOS Load 10TTL Load

0 .9VCC 2 .4 - -

- - - -

- - 0 .1VCC 0 .4

V

O utput Current Levels

IOH IOL

VOH= 2 .2V, VCC= 3 .3V VOL= 0 .4V, VCC= 3 .3V

- -

- -

-8 8

mA

O utput Duty Cyc le

SYM

@ 50% Level45

-

55

%

Rise and Fall Time

@ 10%/90% Levels [tested load noted for TYP values.]

1 .0MHz to 20MHz[CL= 30pF]-

8

10

TR, TF

20 .001MHz to 80MHz[CL= 15pF] 80 .001MHz to 125MHz[CL = 15pF]

- -

5 2 .5

8 5

ns

125 .001MHz to 200MHz[CL= 15pF]-

-

2

Start Up Time

TS

Application of VCC, CL= 15pF-

5

10

ms

产品特性：

标准的14针或8针金属芯片封装

基本和第三泛音晶体设计

低相位抖动性能

频率范围1-200MHz

+3.3V操作

输出启用选项可用的

三种批准的包装方法。

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