KDS进口插件晶振,DT-38晶振,1TC080DFNS001晶振

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求，时钟晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。对于圆片晶振，X、Z 轴较难区分，所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1），会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的装架点胶，点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。

KDS晶振,石英晶振,DT-38晶振,1TC080DFNS001晶振,插件石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

日本大真空,KDS晶振具有质量稳定,供货量平稳,并且在国内有生产线,贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

KDS晶振规格	单位	晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-20°C～+70°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C～+60°C	标准温度
激励功率	DL	1.0~2.0μW Max.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_— l	±20,30× 10-6(标准), (±15 × 10-6～±50 × 10-6可用)	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息
频率温度特征	f_tem	-0.04× 10-6/-20°C～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	9,10,12.5pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C —+85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

DT-26 261 38 381

每个封装类型的注意事项(1)陶瓷包装晶振与SON产品：在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指千赫子晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂（开裂）。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。KDS晶振,石英晶振,DT-38晶振,1TC080DFNS001晶振

（2）陶瓷包装石英晶振：在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装低损耗晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。陶瓷封装贴片晶振：在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。

（3）柱面式音叉晶振产品：产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂（开裂）,也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当石英晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。