5G高频的3.46V有源晶体振荡器编码曝光X1G005331000600

爱普生公司是一家具备多元化的制造商，公司自成立以来一直秉持着专业，诚信的经营理念，以帮助全球用户解决在晶体行业所遇到的问题，以此实现自我的价值，并打造专业化的技术团队以及一流的服务团队，开发出优质的进口有源晶振，并在用户洞察上，爱普生并没有止步于只满足消费者当前最迫切的需求，而是将眼光放至更长远的未来，主动承担起社会责任。当今世界中，人类正面临着气候变化、新冠疫情等牵一发而动全身的全球危机，想要成为消费者心中不可或缺的企业，必然要在产品之外给予消费者更多社会价值。5G高频的3.46V有源晶体振荡器编码曝光X1G005331000600

爱普生公司生产SG7050VEN晶振，有源晶体振荡器编码X1G005331000600，频率27.000000兆赫，输出WaveLVDS，供电电压3.13至3.46 V，尺寸(长×宽×高)7.00 × 5.00 × 1.70毫米，工作温度-40到+85°C，频率公差±25ppm，额外的OptionsN /，OSC TypeClock OSC，5G将成倍增加通信流量。5G通信网络要求高速还有宽频带，同时把噪音降到最低。这可以通过高频率来实现用于通信设备的低抖动基准时钟。使用上述XO，客户可以输入一个高频率参考(高达500 MHz)，具有极低的相位抖动和功率，从基本模式晶体实现优良的相位噪声。

Product Number	爱普生晶振型号	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature
X1G005551000100	SG7050EEN	212.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005551000200	SG7050EEN	312.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005561000200	SG7050VEN	312.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005561000300	SG7050VEN	250.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
Product Number00	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature
X1G005331000100	SG7050VEN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000200	SG7050VEN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000300	SG7050VEN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000500	SG7050VEN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000600	SG7050VEN	27.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000700	SG7050VEN	50.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000800	SG7050VEN	50.001000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331000900	SG7050VEN	156.254000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331001000	SG7050VEN	156.253906 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331001100	SG7050VEN	125.003125 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331001200	SG7050VEN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 105 °C
X1G005331001300	SG7050VEN	130.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331001400	SG7050VEN	80.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331001500	SG7050VEN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331001600	SG7050VEN	60.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	3.135 to 3.465 V	-40 to 85 °C
X1G005331100100	SG7050VEN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LVDS	2.375 to 2.625 V	-40 to 85 °C

5G高频的3.46V有源晶体振荡器编码曝光X1G005331000600，石英晶振荡器体是一种各向异性晶体。 它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相应表面上涂有银。 安装一对金属块作为极板，构成石英晶体振荡器。 石英晶体可用作振荡电路的原因在于其压电效应。 当在晶片外部的两个板之间添加电场时，晶体将产生机械变形; 相反，当在板之间施加机械力时，将在晶体中产生电场。 这种现象称为压电效应。