5G无线模块正弦波输出的TCXO晶体振荡器X1G005231005000

5G无线模块正弦波输出的TCXO晶体振荡器X1G005231005000，随着第 5 代电信系统 (5G) 的引入以及移动网络、物联网 (IoT)、高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 和数据中心的发展，电信网络流量和容量继续增加。而这写新兴产业几乎离不开SMD晶振产品。同时，通信信号中允许的噪声水平较低，网络设备中使用的时钟必须工作在高频和低相位抖动。连接网络设备的光通信模块正在变得更快、更小，并且需要频率容差为±20 x 10-6或更小的时钟来进行400Gbps和800Gbps的超高速和80km或更长距离的传输。

精工爱普生公司推出了新的TCXO晶体振荡器系列，可在基本模式中实现低相位抖动，并采用微型5032mm封装，型号TG5032CGN，编码X1G005231005000，频率26.000000兆赫，输出WaveCMOS，电源电压3.13 ~ 3.46 V，电源电压(一般)3.300 V，尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.4 mm，操作温度-40至+85°C，频率公差+/- 1.0 ppm，具有超高的稳定温度补偿晶体振荡器的CMOS和夹正弦波输出采用基波振荡晶体单元。这样就实现了低相位噪声频率10 ~ 40mhz，适用于参考时钟包括小细胞，5G无线模块。

Product Number	有源晶振	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	F.Tol@25°C	Ope Temperature
X1G005231003000	TG5032CGN	38.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003100	TG5032CGN	38.880000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003200	TG5032CGN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	2.700 to 3.000 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003300	TG5032CGN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003400	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003500	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003600	TG5032CGN	19.440000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003700	TG5032CGN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231003900	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004100	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004200	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004300	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004400	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004600	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004700	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004800	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	2.375 to 2.625 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231004900	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231005000	TG5032CGN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C