爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
频率:2~60MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
石英晶振频率稳定度:关键参数,我们的汽车电子晶振可以达到10-9级别。指在规定的工作温度范围内,与标称频率允许的偏差,用PPm(百万分之一)表示。一般来说,晶振稳定度越高或温度范围越宽,价格越高。对于频率稳定度要求±20ppm或以上的应用,可使用普通无补偿的石英晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度,应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度,应该考虑恒温晶振OCXO。如果客户有十分特别的频稳要求,我们可根据客户要求参数定做。
爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
爱普生晶振以音叉型石英晶体谐振器,(32.768KHZ)系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,2520晶振系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比出色的产品.
项目 |
符号 |
晶振规格 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
2~60MHZ(CMOS) |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
B:-20℃至+ 70℃ |
请联系我们查看更多资料 |
G:-40℃至+ 85℃ |
|||
H:-40℃至+ 105℃ |
|||
频率稳定度 |
f_tol |
B:±50×10 -6 C:±100×10 -6 |
|
L:±50×10 -6 |
|||
Z:±100×10 -6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15pF |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
爱普生有源石英进口振荡器型号列表:
爱普生有源石英进口振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Symmetry
SG-210SDBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SDBA
24.600000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
19.200000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 125 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
26.973027 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
|
Model | Frequency |
|
|
Ope Temperature | Freq. Tol. |
|
25°C Aging | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004601A007 | SG-210SDBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004601A008 | SG-210SDBA | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004601A009 | SG-210SDBA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004601A010 | SG-210SDBA | 24.600000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004611A002 | SG-210SEBA | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004611A003 | SG-210SEBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004611A004 | SG-210SEBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 125 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004611A005 | SG-210SEBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G004611A006 | SG-210SEBA | 26.973027 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % |
每个日本石英晶振封装类型的注意事项:(1)陶瓷包装产品与SON产品在焊接陶瓷晶振产品和SON产品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。(2)陶瓷包装产品:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷谐振器产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
(3)柱面式产品:产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当SPXO晶振动子产品的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
超声波清洗:(1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/声表面滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 贴片晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的,压控振荡器, ,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,X1G004611A002晶振
爱普生晶振集团不断改进设计,优化工艺,调整工厂布局,采取相应措施,减少各种污染环境的因素,尽可能地节省资源和能源,积极保护厂区和周围地区的环境,在本公司,CMOS汽车电子振荡器,压电石英晶体、有源晶体的生产与经营过程中充分考虑对环境的影响,为人类的健康生存和持续发展作出贡献.
爱普生晶振集团环保基本理念:1.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.2.保护自然环境,充分关注自然生态等方面的环境保护,维持和保全生物多样性.3.有效利用智能手机晶振资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行有效利用.
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