通信通讯模块专用晶振SG-8101CGA爱普生有源晶振X1G005171013700
通信通讯模块专用晶振SG-8101CGA爱普生有源晶振X1G005171013700
目前展望未来电子产品市场的发展,对于局端应用的网通设备及电子产品来说,新型器件要想能够顺利替换发展历史及技术都很成熟且兼具高精度及低耗能的石英振荡器,仍有很多障碍需要克服.爱普生晶振石英本身拥有温度系数小、高Q值即低损耗的物理特性,再加上石英原料取材容易的经济特性,成为广泛应用在各类电子设备中的基本组件,以石英为基础的频率组件在精准度、温度漂移、相位噪声等指标性能上,比硅材料要表现更加稳定
SG-8101CGA爱普生有源晶振X1G005171013700,通信通讯模块晶振
晶振产品工程师补充道相对硅基材料的MEMS振荡器,传统石英晶体振荡器的优势还是在于频率稳定的特性.最早选用石英的压电效应来制作石英晶体振荡器,日本进口晶振就是基于石英材料的稳定性,在全温范围内的频率稳定度,而硅材料随着温度的变化其电子迁移率有很大变化,很难控制经过数字温度补偿后,又带来了相位噪声和相位抖动较大功耗增加等问题. 所以目前硅基MEMS振荡器还只应用于对频率特性要求不高的应用领域,而对频率特性较高的通信等市场的TCXO、VCXO产品全部还是应用石英晶体振荡器.
爱普生有源晶振编码
型号
频率
长X宽X高
输出波
电源电压
工作温度
X1G005171012200
SG-8101CGA
153.900000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171012300
SG-8101CGA
6.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 85 °C
X1G005171012400
SG-8101CGA
5.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171012500
SG-8101CGA
38.400000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171012600
SG-8101CGA
110.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171012700
SG-8101CGA
4.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171012800
SG-8101CGA
20.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171012900
SG-8101CGA
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171013000
SG-8101CGA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171013100
SG-8101CGA
33.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171013200
SG-8101CGA
150.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171013300
SG-8101CGA
12.288000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171013400
SG-8101CGA
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171013500
SG-8101CGA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171013600
SG-8101CGA
70.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171013700
SG-8101CGA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 85 °C
X1G005171013800
SG-8101CGA
26.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 85 °C
X1G005171013900
SG-8101CGA
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171014000
SG-8101CGA
49.152000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171014100
SG-8101CGA
6.144000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171014200
SG-8101CGA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171014300
SG-8101CGA
16.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171014400
SG-8101CGA
27.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171014500
SG-8101CGA
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
X1G005171014600
SG-8101CGA
30.780000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171014800
SG-8101CGA
88.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
X1G005171014900
SG-8101CGA
30.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 125 °C
SG-8101CGA爱普生有源晶振X1G005171013700,通信通讯模块晶振
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