石英晶振X1E000021052716爱普生晶振品牌工艺会被替代
石英晶振X1E000021052716爱普生晶振品牌工艺会被替代
石英晶振采用石英（SIO2）为原材料.石英工厂经过切割,打磨,镀银等数十道工序,制成石英晶片.同时向EPSON晶振日系厂商购买基座、起振芯片等配件,最后经过点胶、老化、抽真空、测试等,方可制做成成品.
石英晶振X1E000021052716,爱普生晶振品牌
爱普生晶振编码
长x宽x高
型号
石英晶振频率
负载
频率25°C
频率公差
工作温度范围
ESR最大
驱动电平
X1E000021051816
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021052716
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021056016
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
32.000000 MHz
16 pF
+/-10 ppm
+/-15 ppm
-30 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021057016
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021057416
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
26.635300 MHz
20 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021057816
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
16.000000 MHz
8 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021057916
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.000000 MHz
15 pF
+/-10 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021058116
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
10 pF
+/-15 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021058216
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
20.000000 MHz
12 pF
+/-30 ppm
+/-50 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021058616
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.000000 MHz
7 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059216
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.576000 MHz
8 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059316
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
32.000000 MHz
7 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059416
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
19.200000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
20 pF
+/-20 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059616
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
30.000000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-20 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059816
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
27.120000 MHz
16 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021059916
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
16.000000 MHz
7 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021060216
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
30.000000 MHz
10 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +70 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021060516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +70 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021061016
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
12 pF
+/-10 ppm
+/-10 ppm
-20 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021061116
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
26.000000 MHz
18 pF
+/-10 ppm
+/-15 ppm
-20 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021061316
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
16.000000 MHz
8 pF
+/-10 ppm
+/-15 ppm
-30 to +85 °C
≤ 60 Ω
≤ 200 µW
X1E000021061416
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-9 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021061516
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
24.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-9 ppm
-20 to +75 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
X1E000021062116
3.2 x 2.5 x 0.6mm
TSX-3225
25.000000 MHz
9 pF
+/-10 ppm
+/-18 ppm
-40 to +85 °C
≤ 40 Ω
≤ 200 µW
石英晶振也叫石英晶体振荡器,至今已有几十年的历史,如今被广泛的用于各种电子电路中.但随着电子产品不断的向高集成度、高稳定性、小型化、片型化的方向发展,越来越多的人开始对石英晶振的生产工艺高度关注,尤其是其向高集成度、片型化的发展方向.
由于爱普生晶振石英晶片的切割打磨对工艺制程比较严格,所以体积越小,复杂程度就越高,品质也越难掌控.所以小型化是比较难以操作的,目前最小只能做到1.2mm*1.0mm,同时基座及封壳也无法满足片型化的要求.
石英晶振X1E000021052716,爱普生晶振品牌
同时石英材质本身并不是半导体材质,也无法与其它半导体器件集成.而且目前越来越多的非半导体器件也正在被半导体器件所替代.所以石英晶振最终将被替代.
由于石英晶片需要镀银,进口晶振所以在密封的时候需要抽真空、填充氮气.这也会使石英晶振经过长时间之后,会有漏气的现象,就像自行车车胎久了会跑气一样.
而且由于过多的工艺也导致石英产品的品质一致性较差,就算目前国际一线的大石英工厂爱普生EPSON晶振,其生产的产品缺陷率也在200DPPM-300DPPM之间,更不用说一些小石英工厂.
石英晶振X1E000021052716,爱普生晶振品牌
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