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要保护X1E000021025516爱普生晶振不会损坏到里面晶片

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浏览：- 发布日期：2022-08-25 16:01:40【大中小】

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要保护X1E000021025516爱普生晶振不会损坏到里面晶片

电子产品上用到的晶振是易碎元器件,在晶振的运输保存、焊锡过程中,要怎么处理.

1任何晶体和夹具之间的颗粒或灰层将影响电子接触,而且会产生应力点,从而改变晶体振动的模式,晶振片装好后再一次吹晶振片的表面,去除散落的灰尘.

2同时用蘸有酒精的无尘纸或绸布将爱普生晶振座擦拭干净,组装晶振片之前用吹气球将晶振片、石英晶振座及探头的接触弹簧上可能残留的灰尘吹掉.

3在使用过程中也得保护,新的晶振片使用之前应在中浸泡约1分钟,然后用塑料镊子夹取并用无尘纸或洁净的绸布将水分擦拭干净.

4保证两条引脚的焊锡点不相连,否则也会导致晶体停振

5晶振外壳需要接地时,应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振,

X1E000021025516晶振,爱普生晶振

爱普生晶振编码	长x宽x高	型号	石英晶振频率	负载	频率25°C	频率公差	工作温度范围	ESR最大	驱动电平
X1E000021023916	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	20.000000 MHz	12 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 60 Ω	≤ 200 µW
X1E000021024116	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	40.000000 MHz	15 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	0 to +70 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021024616	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	20.000000 MHz	9 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 60 Ω	≤ 200 µW
X1E000021025316	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	30.000000 MHz	16 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021025516	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	24.000000 MHz	9 pF	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-30 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021025616	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	25.000000 MHz	9 pF	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-30 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021026016	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	20.000000 MHz	18 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 60 Ω	≤ 200 µW
X1E000021026316	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	25.000000 MHz	18 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021026416	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	24.000000 MHz	18 pF	+/-10 ppm	+/-18 ppm	-40 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021026516	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	48.000000 MHz	12 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021026616	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	40.000000 MHz	18 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021028516	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	19.200000 MHz	12 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 60 Ω	≤ 200 µW
X1E000021029516	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	30.000000 MHz	9 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021030116	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	24.576000 MHz	12 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021031216	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	26.000000 MHz	7 pF	+/-10 ppm	+/-20 ppm	-40 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021031516	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	25.000000 MHz	18 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021035016	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	26.000000 MHz	9 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021035216	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	25.000000 MHz	20 pF	+/-10 ppm	+/-18 ppm	-40 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021035616	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	20.000000 MHz	10 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +70 °C	≤ 60 Ω	≤ 200 µW
X1E000021036316	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	27.000000 MHz	18 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021036716	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	40.000000 MHz	10 pF	+/-10 ppm	+/-15 ppm	-30 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021037516	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	16.000000 MHz	9 pF	+/-10 ppm	+/-18 ppm	-40 to +85 °C	≤ 60 Ω	≤ 200 µW
X1E000021037716	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	39.000000 MHz	8 pF	+/-10 ppm	+/-11 ppm	-20 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021038416	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	27.000000 MHz	11 pF	+/-10 ppm	+/-10 ppm	-20 to +75 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW
X1E000021039416	3.2 x 2.5 x 0.6mm	TSX-3225	37.800000 MHz	8.5 pF	+/-10 ppm	+/-20 ppm	-40 to +85 °C	≤ 40 Ω	≤ 200 µW

6焊锡之后,要进行清洗,以免绝缘电阻不符合要求.

7在晶振焊锡过程中,其焊锡的温度不宜过高,焊锡时间也不宜过长,防止晶体因此发生内变,而产生不稳定.

8对于需要剪脚的晶振,应该注意机械应力的影响.

9其次对于易碎的日本进口晶振器件要做好防震措施,不宜放在较高的货架上,在使用的过程,也不宜使晶振跌落,一般来说,从高空跌落的晶振不应再次使用.

10晶振的保存方式,首先要考虑其周围的潮湿度,做好防挤压措施,放在干燥通风的地方,使其晶体避免受潮导致其他电气参数发生变化.X1E000021025516晶振,爱普生晶振

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