6GWIFI产品应用SMD振荡器初次曝光ECX-L25BN-16.000

6GWIFI产品应用SMD振荡器初次曝光ECX-L25BN-16.000，在这个瞬息万变的世界之中，只有处于快速成长的企业才有更多的机会，为了能够抓住更多的机会，ECS开始对于电子行业进行全面性的布局，尤其针对于物联网，5G应用，6G无线设备，智能产品等方面，通过深度的研究，如今有小有成就，并推出高性能晶振产品编码ECX-L25BN-16.000，型号ECX-L，尺寸为5032mm,频率为16MHZ，支持输出LVDS，ECX-L2（2.5V）和ECX-L3（3.3V）低抖动、低电流频率可配置的SMD振荡器，XO时钟振荡器，差分有源振荡器，非常低的RMS抖动X短前置时间X Pb自由/RoHS2兼容X MSL 1 X峰值焊料温度+260°C（10秒）具备低抖动，低电压，低耗能的特点，比较适合用于6GWIFI，便携式设备，无线网络，蓝牙模块，智能音响等领域。

这些应用笔记的目的是帮助客户指定时钟振荡器。ECS提供的有关振荡器类型的背景信息，以及一些常见的定义和有用的公式。ECS振荡器产品线包括时钟振荡器、TCXOs、VCXOs、VCTCXOs和VCO。

标准时钟振荡器是最常用的振荡器类型，几乎在电子工业的每个方面都有应用。时钟振荡器/有源晶振用于建立用于计时目的的参考频率。一个典型的应用是计算机中事件的排序。

晶体控制时钟振荡器通常由一个放大器和一个反馈网络组成，该反馈网络选择放大器输出的一部分，并将其返回到放大器输入。这种电路的简化框图如下所示(图1)。6GWIFI产品应用SMD振荡器初次曝光ECX-L25BN-16.000.

图1)晶体控制时钟振荡器的简化框图

振荡器中振荡的基本准则是:1 .开环增益必须大于振荡器环路周围的损耗。振荡器环路周围的相移必须为0度或360度。

振荡器可以用来产生不同类型的波形。振荡器产生的最常见的波形类型是正弦波和方波。

下面列出了用于指定时钟振荡器的主要参数。

逻辑TTL，HCMOS:一般来说，HCMOS振荡器具有驱动TTL电路(反之亦然)。随着集成电路制造商停止供应许多常见的TTL集成电路，业界正在远离TTL逻辑。大多数ECS石英晶体振荡器都是HCMOS/TTL兼容的。

频率稳定性:最常见的稳定性是25、50和100PPM。整体稳定性通常包括25°C时的精度、工作温度变化、输入电压、老化、冲击和振动的影响。100PPM的稳定性最受欢迎，因为它足以运行微处理器。电信行业正朝着越来越稳定的方向发展。在商业(0-70°C)应用中，不再提供超过100PPM的稳定性，因为标准过程控制至少可以达到这种稳定性。要求50 PPM通常会贵一点。要求25 PPM的时钟振荡器会显著影响价格。对于小于25 PPM的稳定性应用，请咨询工厂或考虑TCXO。

温度补偿晶体振荡器

通常由紧公差石英晶振、温度补偿网络、振荡器电路和由输出要求确定的各种缓冲器和/或输出级组成。当电容器与晶体单元串联插入时，晶体具有改变频率的特性，如图2所示

图2)晶体单元的负载电容特性

利用上述特性，可以通过在振荡电路中插入由热敏电阻、电阻和电容组成的温度补偿电路来稳定频率，如图3所示。温度补偿网络用于检测环境温度，并以降低石英晶体的频率温度效应的方式“牵引”晶体频率。

图3)温度补偿电路

当整体稳定性需求高于时钟振荡器时，通常需要TCXO。此外，TCXO的长期老化效果优于大多数时钟振荡器。

输入电压:大多数TCXOs设计为在5VDC、3.3 VDC或两者的组合下工作。

射频输出:TCXO可以制造各种类型的输出:正弦波，削波正弦波，TTL，HCMOS和ECL。务必指定所需的输出类型、信号要求和振荡器将驱动的负载。

TCXOs还具有频率调整功能，允许将有源晶体振荡器重新调整到其中心频率，以补偿老化。这种调整可以通过以下方式提供。

1. 振荡器内的机械调节器(内部微调器),可通过外壳上的孔接近。
2. 通过外壳中的导线对远程电位计或电压进行电气调节。使用这种技术的振荡器称为温度补偿压控晶体振荡器或TCVCXO。
3. 机械和电气调节的组合。

VCXOs(压控晶体振荡器)是晶体控制振荡器，其中可以通过改变振荡器电路内可变电容器(变容二极管)两端的外部控制电压来调整输出频率。由控制电压变化引起的相关频率变化称为牵拉能力。VCXOs广泛应用于电信、仪器仪表和其他需要稳定但电可调振荡器的电子设备中。

变容二极管是一种半导体器件，被设计成当向其施加电压时充当可变电容器。当与晶振串联使用时，如图4所示，改变控制电压会导致二极管电容改变。电容的这种变化引起总晶体负载电容的变化，并随后引起晶体频率的变化。

图4)典型VCXO电路

由于VCXOs在数字数据传输中的应用越来越多，相位抖动(短期稳定性)已经成为一个重要的考虑因素。相位抖动提供了一种精确的方法来确定何时发生相变。

定义:以下定义将帮助您理解振荡器性能和术语。

标称频率:晶体振荡器的中心或标称输出。

频率容差:室温下与标称频率的偏差，用百万分率(PPM)表示。(25摄氏度±5摄氏度)

频率范围:振荡器类型或型号可提供的频带。

频率稳定性:在25°C的温度窗口内，即0°C至+70°C，与测量频率相比的最大容许频率偏差，时钟振荡器的典型稳定性为0.01% ( 100PPM)。

工作温度:输出频率和其他电气、环境特性符合规格的温度范围。

老化:某段时间内的相对频率变化。时钟振荡器的典型老化时间为5PPM，最长超过1年。

储存温度:在不损坏或改变设备性能的情况下，安全储存设备的温度范围。

电源电压:相对于地，可安全施加于VCC端子的最大电压。

输入电压(VIN):可以安全施加到带电压晶振任何输入端的最大电压。

输出高电压(VOH):在适当负载下振荡器输出端的最小电压。

输出低电压(VIH):振荡器输入端保证阈值触发的最大电压。

电源电流:相对于地流入Vcc端子的电流。通常，电源电流是在无负载的情况下测量的。

占空比的对称性:指定电平下输出波形的对称性(TTL为1.4 V，HCMOS为1/2 Vcc，ECL为1/2波形峰值电平)。

上升时间(TR):在指定电平下测量的从低到高转换的波形上升时间(对于HCMOS、ECL为20%至80%，对于TTL为0.4 V至2.4 V)。

下降时间(TF):从高到低转换的波形下降时间，在指定电平下测量(对于HCMOS、ECL为80%至20%，对于TTL为2.4 V至0.4 V)。

负载/扇出:不同系列的振荡器可以驱动的最大负载被定义为输出负载驱动能力。各系列振荡器的负载驱动能力(扇出)是根据一个振荡器可以驱动的门电路数量来确定的。

抖动(短期稳定性):振荡器输出的相位或频率调制。

HCMOS/TTL兼容:振荡器采用ACMOS逻辑设计，具有驱动TTL和HCMOS负载的能力，同时保持HCMOS的最低逻辑高电平。

三态使能:当输入保持开路或连接到逻辑“1”时，发生正常振荡。当输入接地(连接到逻辑“0”)时，输出为高阻态。输入具有内部上拉电阻，因此允许输入保持开路。

输出逻辑:振荡器的输出旨在满足各种指定的逻辑，如TTL、HCMOS、ECL、正弦、限幅正弦(DC切割)。

谐波失真:由与目标信号频率相关的不想要的谐波频谱分量引起的非线性失真。每个谐波分量是电功率与期望信号输出电功率之比，用dbc表示，即-20 dBc。当需要干净且失真较小的信号时，谐波失真特性非常重要，尤其是在正弦输出中。

双路和多路输出:单个振荡器能够产生一个以上的信号。这些信号可能是相关的(通常是由单个晶体产生的信号的倍数或约数)。

启动时间:振荡器的启动时间定义为振荡器达到其额定RF输出幅度所需的时间。