6G无线应用专用SMD振荡器有哪些优势?DSC1124CL2-200.0000T
6G无线应用专用SMD振荡器有哪些优势?DSC1124CL2-200.0000T，这是一家拥有无数称赞以及美誉之称的制造商，他便是Microchip公司，专注于研发设计各种各样极其具有价值的振荡器产品，随着自身的能力提升，不断挑战自身的舒适区，并调整自身的产品，以满足不同用户的需求，为了更好应对市场的压力，Microchip利用自身的实力，开发有源晶振编码DSC1124CL2-200.0000T，型号DSC1124，尺寸为3.20mm x 2.50mm，频率为200MHZ，电压为2.25V~3.6V，支持输出HCSL，XO时钟振荡器（标准），MEMS可编程振荡器。
DSC1104和DSC1124系列的高性能振荡器采用成熟的硅MEMS技术提供出色的抖动和稳定性 宽范围的电源电压和温度。经过 消除了对石英或SAW技术的需要， MEMS振荡器显著增强了可靠性加速产品开发，同时满足各种应用的严格时钟性能标准通信、存储和网络应用。
DSC1104具有待机功能，允许它 en引脚拉低时完全关断； 而对于DSC1124，只有输出被禁用当en为低电平时。两款SMD振荡器均可在行业标准封装，包括小型2.5毫米x 2.0毫米，是标准6针HCSL石英晶体振荡器。
产品特性：低均方根相位抖动:<1ps(典型值。) 高稳定性:10ppm、20ppm、25ppm、 50ppm，宽温度范围-工业级:–40℃至+85℃分机。商用:–20°C至+70°C-分机。工业级:–40℃至+105℃，高电源噪声抑制:–50 dBc，宽频率范围:2.3MHz至460MHz，小型工业标准尺寸: - 2.5毫米x2.0毫米，3.2毫米x2.5毫米， 5.0毫米x3.2毫米和7.0毫米x5.0毫米，出色的抗冲击和振动能力，-符合军用标准883，高可靠性MTF比石英振荡器高20倍，低电流消耗，电源电压范围为2.25V至3.6V 待机和输出使能功能，无铅且符合RoHS标准.6G无线应用专用SMD振荡器有哪些优势?DSC1124CL2-200.0000T.
产品应用范围：存储区域网络，-SATA、SAS、光纤通道，无源光网络-EPON，10G-EPON，GPON，10G-PON 以太网 - 1G、10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE，高清/标清/SDI视频和监控，PCI Express:第一代到第四代，显示端口，6G无线设备等领域。
如果您想为产品配备振荡器，并且几乎没有哪种电子应用离不开有源晶体振荡器，您必须首先定义应用的工作电压，因为振荡器通常被“校准”到特定的电压值。精确的频率需要恒定且预定的工作电压。如果出现偏差，振荡器将产生不准确的频率，最终导致故障。这是一个行业标准，但现在，随着新的DSC晶体振荡器，Microchip提供了更多的灵活性。
原厂代码
欧美进口晶振品牌
型号
类型
频率
电压
DSC1101DL5-013.5600T
Microchip晶振
DSC1101
MEMS (Silicon)
13.56MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-052.8000T
Microchip晶振
DSC1101
MEMS (Silicon)
52.8MHz
2.25 V ~ 3.6V
DSC1121AM2-010.0000
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
10MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-025.0000
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-024.0000
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
24MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-024.5760
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
24.576MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-027.0000
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
27MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-033.3330
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
33.333MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-050.0000
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
50MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-066.6660
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
66.666MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001CE1-022.1184T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
22.1184MHz
1.7 V ~ 3.6 V
DSC1121AM2-027.0000T
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
27MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121BM2-007.3728
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104CI5-125.0000T
Microchip晶振
DSC1104
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6V
DSC1001DL5-007.3728
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-007.3728T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-033.3330
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
33.333MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-054.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
54MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-001.8432T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-004.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
4MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-008.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
8MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-010.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
10MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-012.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
12MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-016.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
16MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-019.2000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
19.2MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-024.5760T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
24.576MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-025.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
25MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-026.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
26MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-027.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
27MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-030.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
30MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-032.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
32MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-033.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
33MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-033.3330T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
33.333MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-048.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
48MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-050.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
50MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-001.8432
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-016.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
16MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-001.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
1MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-008.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
8MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-011.0592
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-011.0592T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-020.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
20MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-024.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
24MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-031.2500
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
31.25MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL5-031.2500T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
31.25MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004DI1-024.0000
Microchip晶振
DSC1004
MEMS (Silicon)
24MHz
1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI1-024.0000T
Microchip晶振
DSC1004
MEMS (Silicon)
24MHz
1.8 ~ 3.3V
DSC1001DL2-090.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
90MHz
1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DL5-010.2000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
10.2MHz
1.7 V ~ 3.6 V
DSC1004DI1-006.7800T
Microchip晶振
DSC1004
MEMS (Silicon)
6.78MHz
1.8 ~ 3.3V
DSC1001DL2-087.0655T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
87.0655MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1123BE2-050.0000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
50MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104BI5-100.0000T
Microchip晶振
DSC1104
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1104BI5-100.0000
Microchip晶振
DSC1104
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CL2-100.0000T
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CL2-200.0000T
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101BI5-133.0000T
Microchip晶振
DSC1101
MEMS (Silicon)
133MHz
2.25 V ~ 3.6V
DSC1124CL2-100.0000
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124CL2-200.0000
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001AI2-048.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
48MHz
1.8 V ~ 3.3 V
精确度和灵活性
这款新进口有源晶振产品很特别；即使工作电压变化，它们也能产生极其稳定的频率。在从1.8伏到3.3伏的电压范围内，振荡器以最小的频率变化运行。即使工作电压在工作期间发生变化，这一点也适用。使用这些新器件，电子应用制造商受益匪浅。首先，它们在振荡器的使用上更加灵活。第二，由于其低功耗，新组件特别适合安装在电池供电的设备中。最后，即使电池电压下降，振荡器也能在相当长的时间内以最高的精度提供所需的频率。
面向物联网的小多元人才
由于特殊的特性和小尺寸(分别为2.5x2 x0.8毫米和3.2x 2.5x1.1毫米)，新振荡器在可穿戴设备和紧凑型物联网应用中特别受欢迎。它们可用于便携式设备、无线传感器或智能散热器恒温器等应用领域。
两款振荡器的工作温度范围均为-40至+125摄氏度。它们100%无铅，符合RoHS和REACH标准。这两种成分也不含冲突矿物。
