6G放大器专属MEMS振荡器DSC1123CE1-125.0000T提供抗电磁干扰能力
6G放大器专属MEMS振荡器DSC1123CE1-125.0000T提供抗电磁干扰能力，Microchip凭着积极进取的态度，不断精进自身的产品，为了更好应对未知的风险，Microchip从小事件开始磨练自身的能力，并且不断挑战自我的极限，擅长于开发出色优质的产品，经过反复打磨，推出了MEMS可编程振荡器编码DSC1123CE1-125.0000T，型号DSC1123，尺寸为3.20mm x 2.50mm，频率为125MHZ，电压为2.25 V~ 3.6 V，DSC1103和DSC1123系列高性能SMD振荡器利用成熟的硅MEMS技术，在宽电源电压和温度范围内提供出色的抖动和稳定性。
通过消除对石英或SAW技术的需求，MEMS振荡器显著提高了可靠性并加快了产品开发，同时满足各种通信、存储和网络应用的严格时钟性能标准。DSC1103具有待机特性，当en引脚被拉低时，它可以完全关断；而对于DSC1123，当en为低电平时，仅输出禁用。两款振荡器均采用行业标准封装，包括2.5毫米x 2.0mm毫米的小型产品，是标准6引脚LVDS石英晶体振荡器的“替代产品”。
产品特性：低均方根相位抖动:< 1 ps(典型值。)，高稳定性:10、25、50ppm，工业级:-40摄氏度至85摄氏度，延伸文件系统商用:-20摄氏度至70摄氏度，高电源噪声抑制:-50dBc，短交货期:2周，宽频率。范围:2.3至460兆赫，2.5毫米x2.0mm毫米、3.2毫米x2.5mm毫米、5.0毫米x3.2mm毫米和7.0毫米x5.0mm毫米，符合军用标准883，MTF比石英有源晶体振荡器高20倍，低电流消耗，电源电压范围为2.25V至3.6V，待机和输出使能功能，无铅且符合RoHS标准，提供LVPECL和HCSL版本电磁干扰(EMI)一直是一个 半导体行业系统设计师面临的巨大挑战。这一挑战在当今更加严峻电子元件所在的系统设计 紧密包装以及处理器速度和数据速率比以往任何时候都高。系统时钟是产生EMI的主要因素。
MEMS振荡器已经变得非常流行，在需要产生时钟的应用中，晶体振荡器正逐步被取代。MEMS振荡器与晶体相比具有显著优势，其中之一是它们编程方式的灵活性配置.6G放大器专属MEMS振荡器DSC1123CE1-125.0000T提供抗电磁干扰能力.
原厂代码
品牌
型号
类型
频率
电压
DSC1001DI1-054.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
54MHz
1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DL1-080.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
80MHz
1.7 V ~ 3.6 V
DSC1101CL5-100.0000T
Microchip晶振
DSC1101
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001CI5-025.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
25MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1122NE1-025.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124BI5-100.0000T
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1124BI5-100.0000
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001BL5-080.0000T
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
80MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-080.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
80MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1122AI2-019.4400
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
19.44MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE1-050.0000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
50MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE1-156.2500T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE2-062.0000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
62MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001AE2-004.0000
Microchip晶振
DSC1001
MEMS (Silicon)
4MHz
1.8 V ~ 3.3 V
DSC1124CE1-156.2500
Microchip晶振
DSC1124
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE1-125.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101NI5-100.0000
Microchip晶振
DSC1101
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AI5-125.0032
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
125.0032MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DM2-025.0000
Microchip晶振
DSC1101
MEMS (Silicon)
25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CI2-125.0000
Microchip晶振
DSC1121
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-156.2500
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103CE1-125.0000T
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122DI2-200.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-027.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
27MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-020.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
20MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-333.3333T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
333.3333MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-400.0000
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
400MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-400.0000T
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
400MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122DI2-100.0000
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122DI2-100.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-200.0000T
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI1-156.2500T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-100.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-125.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-133.3300T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
133.33MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-150.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
150MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-156.2500T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122DI2-125.0000T
Microchip晶振
DSC1122
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-200.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-100.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-148.5000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
148.5MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-150.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
150MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-156.2500T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-200.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI2-212.5000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
212.5MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-156.2500T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-125.0000
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-148.5000
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
148.5MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-200.0000
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-125.0000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-156.2500
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
156.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE2-135.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
135MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-200.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1103DI2-019.2000
Microchip晶振
DSC1103
MEMS (Silicon)
19.2MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DE5-200.0000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-106.2500
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
106.25MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-148.5000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
148.5MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123DI2-200.0000
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
200MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-100.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
100MHz
2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CI1-125.0000T
Microchip晶振
DSC1123
MEMS (Silicon)
125MHz
2.25 V ~ 3.6 V
本应用笔记重点讨论MEMS振荡器的可编程性如何帮助降低EMI。
时钟发生器是中EMI的主要来源系统。方波时钟信号的频谱具有一个基频，以及大量的奇次谐波，能量很大。越尖锐时钟，越是充满活力的谐波；这会产生更高的电磁干扰。减轻电磁干扰的传统方法包括布局、过滤和屏蔽。所有这些都增加了成本和电路板空间。
接下来的部分将更详细地介绍如何MEMS振荡器的上升和下降可编程性时间以及扩频能用于减少和减轻电磁干扰。
参考AN2340，“MEMS振荡器的抗扰度机械应力”，以获得其他重要优势MEMS振荡器与传统晶体的对比。一些微芯片MEMS振荡器系列，如 DSC11xx和DSC2010可以对CMOS输出缓冲器的驱动强度进行编程。 这影响了输出信号的上升和下降时间。 DSC2010提供三路输入(OS0、OS1、OS2) 实现八种可能驱动强度中的一种。这 DSC1101进口有源晶振是工厂编程使用最高 驱动强度，而DSC1105被编程为用最低的。
当应用需要快速上升/下降时间或者当设备 需要驱动相当大的容性负载。这也有帮助 降低电源噪声对时钟抖动的影响。最低的驱动强度对应于最慢的表1中的上升/下降时间。在这种情况下，时钟信号具有最平滑的边沿、最低的谐波 能量含量，因此提供最高的电磁干扰 还原。
图1显示了谐波是如何衰减的 当输出缓冲器的驱动强度降低时
扩频是一种随时间推移的缓慢调制 时钟频率。MEMS振荡器内部的PLL为用33kHz的三角波调制。有了这样的慢调制时，两者的峰值频谱能量 基频和所有谐波被扩展在更宽的频率范围内。这样，能量显著降低，从而提供了EMI降低。 选择三角波是因为其平坦的频谱密度.
如果时钟频率为100MHz，并选择1%的中心扩展，则输出时钟范围为99MHz至101MHz。如果-2%的向下扩展是选择后，输出时钟范围为98MHz至100兆赫。
图2和图3显示了的频谱示例 具有33.333MHz时钟的DSC6331，用 1%的中心差价。
值得注意的是，扩频提供了一种峰值功率降低约10dB。这样一个减少量也可通过以下等式估算:
本例的理论计算相当于10.45dB，与测量一致。 与基频相似，所有谐波都以相似的方式传播和衰减。
图6显示了DSC6331的33.333MHz欧美进口晶振基频及其奇次谐波当各种类型的调制被已选中。为清楚起见，只有中央价差选项如图6所示。然而，具有相应百分比的向下扩展提供了相同水平的谐波衰减(例如，1%的中心扩展提供了 向下扩展的同次谐波衰减 –2%).
电磁干扰是现代电子技术中的一个严重挑战设计和时钟发生器是电磁干扰的主要来源之一。MEMS振荡器灵活且可编程。它们提供了两个重要的可编程有助于降低和缓解时钟产生的电磁干扰的特性。第一个特点是可编程上升/下降时间。较慢的上升/下降时间降低了能量 与每个时钟信号的谐波相关，即辐射能量(EMI)的指示。第二 特征是时钟频率的缓慢调制 叫做扩频。此功能还会产生一个 显著降低了与 时钟谐波。
这些MEMS振荡器的两个可编程特通过简化EMI过滤和屏蔽设计，降低EMI并减少电路板成本和空间.
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