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DSC1004CI5-016.0000T低姿态的有源振荡器非常适合于监控摄像机

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浏览：- 发布日期：2023-05-18 13:38:12【大中小】

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DSC1004CI5-016.0000T低姿态的有源振荡器非常适合于监控摄像机,Microchip晶振公司是一家成长型兼并创新型的知名品牌制造商，主要研发具备出色性能的晶振产品为主导，随着市场需求的增长开发编码DSC1004CI5-016.0000T，DSC1001/3/4是基于硅MEMS的CMOS输出SMD振荡器家族，提供优秀的抖动和性能稳定，供应范围广电压和温度。设备从1MHz至150MHz，电源电压在1.8至3.3伏，温度范围-40℃~105°C。

DSC1004CI5-016.0000T低姿态的有源振荡器非常适合于监控摄像机,DSC1001/3/4包含一个全硅谐振器它非常健壮，几乎不受压力的影响相关断裂，常见的石英晶体振荡器。不牺牲性能和稳定性需要今天的系统，一个无晶体的设计允许更高级别的可靠性，使DSC1001/3/4适用于坚固，工业和便携式应力，冲击和振动可以破坏基于石英晶体的系统。可在行业标准软件包中使用DSC1001/3/4可以“插入”到同一PCB上作为标准晶体振荡器的足迹。DSC1003和DSC1004相同功能和性能与DSC1001一样，但是具有25pf和40pf的更高输出驱动器。

原厂代码	品牌	型号	类型	频率	电压
DSC1001DI5-048.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	48MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-050.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-060.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	60MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL2-001.8432T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	1.8432MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-002.4576	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	2.4576MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-012.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-020.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.3330	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	33.333MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.3333	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	33.3333MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL2-001.8432	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	1.8432MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101CM2-062.2080	Microchip晶振	DSC1101	MEMS (Silicon)	62.208MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-027.0000	Microchip晶振	DSC1121	MEMS (Silicon)	27MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-062.2080	Microchip晶振	DSC1121	MEMS (Silicon)	62.208MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-007.3728T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	33MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-007.3728	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	33MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1121AL2-020.0000	Microchip晶振	DSC1121	MEMS (Silicon)	20MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AL2-025.0000	Microchip晶振	DSC1121	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-027.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	27MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-032.2500	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	32.25MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1121CM2-024.5454	Microchip晶振	DSC1121	MEMS (Silicon)	24.5454MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-001.8432T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	1.8432MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-013.3333T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	13.3333MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-018.4320T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	18.432MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-022.5792T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	22.5792MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-047.3385T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	47.3385MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-047.3885T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	47.3885MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DL2-150.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	150MHz	1.7 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-040.0000T	Microchip晶振	DSC1121	MEMS (Silicon)	40MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-030.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	30MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CE1-050.0000	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1123DE1-131.0720	Microchip晶振	DSC1123	MEMS (Silicon)	131.072MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001AL5-080.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	80MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-100.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-080.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	80MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-100.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-133.3330T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	133.333MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-150.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	150MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-080.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	80MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-100.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-125.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	125MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-133.3330T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	133.333MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CI5-016.0000T	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	16MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-010.0000T	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	10MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-066.4860T	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	66.486MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-066.5800T	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	66.58MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1001CI5-100.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-133.3330	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	133.333MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CI5-016.0000	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	16MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-025.0000	Microchip晶振	DSC1004	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 ~ 3.3V
DSC1001CI5-150.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	150MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-100.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-125.0000	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	125MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-125.0000T	Microchip晶振	DSC1001	MEMS (Silicon)	125MHz	1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101DL5-013.5600	Microchip晶振	DSC1101	MEMS (Silicon)	13.56MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-025.0000	Microchip晶振	DSC1101	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-020.0000T	Microchip晶振	DSC1101	MEMS (Silicon)	20MHz	2.25 V ~ 3.6 V

SMD晶振产品特点：频率范围:1mhz ~ 150mhz，特殊的温度稳定性±10ppm，±20ppm，±25ppm，±50ppm，工作电压

1.7 ~ 3.6V，工作温度范围，工业用- 40°C至105°C，工业用- 40℃~ 85℃，商用—20℃~ 70℃，低工作和待机电流。6ma工作(1mhz)，15 μA待机(最大)，超微型足迹，2.5 mm × 2.0 mm × 0.85 mm，3.2 mm × 2.5 mm × 0.85 mm，5.0 mm × 3.2 mm × 0.85 mm，7.0 mm × 5.0 mm × 0.85 mm，MIL-STD 883抗冲击和振动，无铅，RoHS，达到SVHC标准，通过AEC-Q100可靠性认证.

产品应用程序：移动应用，消费电子产品，便携式电子设备，DVR、闭路电视、监控摄像机，低姿态应用，工业应用.

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