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DSC1004CI5-016.0000T低姿态的有源振荡器非常适合于监控摄像机

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浏览:- 发布日期:2023-05-18 13:38:12【
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DSC1004CI5-016.0000T低姿态的有源振荡器非常适合于监控摄像机,Microchip晶振公司是一家成长型兼并创新型的知名品牌制造商,主要研发具备出色性能的晶振产品为主导,随着市场需求的增长开发编码DSC1004CI5-016.0000T,DSC1001/3/4是基于硅MEMS的CMOS输出SMD振荡器家族,提供优秀的抖动和性能稳定,供应范围广电压和温度。设备从1MHz至150MHz,电源电压在1.8至3.3伏,温度范围-40℃~105°C。DSC1004 DSC1003 DSC1001

DSC1004CI5-016.0000T低姿态的有源振荡器非常适合于监控摄像机,DSC1001/3/4包含一个全硅谐振器它非常健壮,几乎不受压力的影响相关断裂,常见的石英晶体振荡器。不牺牲性能和稳定性需要今天的系统,一个无晶体的设计允许更高级别的可靠性,使DSC1001/3/4适用于坚固,工业和便携式应力,冲击和振动可以破坏基于石英晶体的系统。可在行业标准软件包中使用DSC1001/3/4可以“插入”到同一PCB上作为标准晶体振荡器的足迹。DSC1003和DSC1004相同功能和性能与DSC1001一样,但是具有25pf和40pf的更高输出驱动器。

原厂代码 品牌 型号 类型 频率 电压
DSC1001DI5-048.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 48MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-050.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 50MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-060.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 60MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL2-001.8432T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 1.8432MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-002.4576 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 2.4576MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-012.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 12MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-020.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 20MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.3330 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 33.333MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.3333 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 33.3333MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DL2-001.8432 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 1.8432MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101CM2-062.2080 Microchip晶振 DSC1101 MEMS (Silicon) 62.208MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-027.0000 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 27MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-062.2080 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 62.208MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-007.3728T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 7.3728MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 33MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-007.3728 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 7.3728MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-033.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 33MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1121AL2-020.0000 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 20MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AL2-025.0000 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-027.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 27MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001DI5-032.2500 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 32.25MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1121CM2-024.5454 Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 24.5454MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-001.8432T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 1.8432MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-013.3333T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 13.3333MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-018.4320T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 18.432MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-022.5792T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 22.5792MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-047.3385T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 47.3385MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-047.3885T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 47.3885MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1001DL2-150.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 150MHz 1.7 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-040.0000T Microchip晶振 DSC1121 MEMS (Silicon) 40MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001DI5-030.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 30MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CE1-050.0000 Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 50MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1123DE1-131.0720 Microchip晶振 DSC1123 MEMS (Silicon) 131.072MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1001AL5-080.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 80MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-100.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-080.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 80MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-100.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-133.3330T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 133.333MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-150.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 150MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-080.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 80MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-100.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-125.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-133.3330T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 133.333MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CI5-016.0000T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 16MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-010.0000T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 10MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-066.4860T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 66.486MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-066.5800T Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 66.58MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1001CI5-100.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001CI5-133.3330 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 133.333MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1004CI5-016.0000 Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 16MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1004DI5-025.0000 Microchip晶振 DSC1004 MEMS (Silicon) 25MHz 1.8 ~ 3.3V
DSC1001CI5-150.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 150MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001BL5-100.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-125.0000 Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1001AL5-125.0000T Microchip晶振 DSC1001 MEMS (Silicon) 125MHz 1.8 V ~ 3.3 V
DSC1101DL5-013.5600 Microchip晶振 DSC1101 MEMS (Silicon) 13.56MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-025.0000 Microchip晶振 DSC1101 MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1101DL5-020.0000T Microchip晶振 DSC1101 MEMS (Silicon) 20MHz 2.25 V ~ 3.6 V
SMD晶振产品特点:频率范围:1mhz ~ 150mhz,特殊的温度稳定性±10ppm,±20ppm,±25ppm,±50ppm工作电压

1.7 ~ 3.6V,工作温度范围,工业用- 40°C至105°C,工业用- 40℃~ 85℃,商用—20℃~ 70℃,低工作和待机电流。6ma工作(1mhz),15 μA待机(最大),超微型足迹,2.5 mm × 2.0 mm × 0.85 mm,3.2 mm × 2.5 mm × 0.85 mm,5.0 mm × 3.2 mm × 0.85 mm,7.0 mm × 5.0 mm × 0.85 mm,MIL-STD 883抗冲击和振动,无铅,RoHS,达到SVHC标准,通过AEC-Q100可靠性认证.

DSC1004 DSC1003 DSC1001 1产品应用程序:移动应用,消费电子产品,便携式电子设备,DVR、闭路电视、监控摄像机,低姿态应用,工业应用.