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CTS推出的402系列是一款微型高精度性能,用于M2M通信,USB接口领域的四脚石英晶体402F24011CDR,四脚无源晶振

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浏览:- 发布日期:2022-06-27 15:11:37【
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动态电感

晶体单元中的等效电感元件。晶体的动电感[L1]和动电容[C1]在串联谐振频率[fS]下发生共振。的实际价值在石英晶体设计中实现L1有物理局限性。这些限制包括操作方式,晶体切割,机械设计和标称频率。

标称频率

晶振晶体的特定参考频率或中心频率,通常以兆赫[MHz]表示或者赫兹(赫兹)。晶体设计和制造所需的频率。CTSCTS推出的402系列是一款微型高精度性能,用于M2M通信,USB接口领域的四脚石英晶体402F24011CDR,四脚无源晶振

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工作温度范围

设备在振荡过程中所能暴露的最低和最高温度。在此温度范围内,保证所有设备指定的工作参数。
泛音模式
基本振动阶数的奇数倍

支架或头部用于包含石英晶体坯料。包便于空白安装和维持一个惰性的气氛,以维持内部晶体的振荡性能。包装包括金属或陶瓷等材料,并被分类为通孔或表面贴装[贴片]。CTS推出的402系列是一款微型高精度性能,用于M2M通信,USB接口领域的四脚石英晶体402F24011CDR,四脚无源晶振

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445W25J25M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 25MHz
445W25J27M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 27MHz
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抛物线温度曲线

频率与温度的关系曲线显示频率随着温度的变化而下降高于或低于周转温度。
并行负载谐振

用于典型振荡器应用的晶体以两种谐振模式中的一种工作:串联共振或并联负载共振。在这两种模式中使用的晶体是物理上相同的晶体,但校准频率略有不同。当水晶放置在一个振荡器电路中,晶体和振荡器电路元件在一起共振一个调谐频率。这个频率取决于晶体设计和负载量如果有电容,有源晶体振荡电路会给晶体带来电容。在Pico Farads [pF]中指定,加载电容是由分立负载电容、杂散板组成的电路组合电容和半导体米勒效应产生的电容。当振荡器电路对晶体产生一定的负载电容时,晶体被称为“并行负载谐振”,并且必须指定负载电容的值。如果电路没有表现出任何电容性负载,晶体被称为“串联谐振”,不指定负载电容值。

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445W32J25M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 25MHz
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445C32G16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445C32H13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445C32H16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445C32J13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445C32J16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445I33B13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445I33B16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445I33F13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445I33F16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445I33G13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445I33G16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445I33H13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445I33H16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445I33J13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445I33J16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445W32B13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445W32B16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445W32F13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445W32F16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445W32G13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445W32G16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445W32H13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445W32H16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
445W32J13M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 13MHz
445W32J16M00000 CTS晶振 445 MHz Crystal 16MHz
402F480XXCKR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F500XXCKR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F540XXCKR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F480XXCJR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F500XXCJR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F540XXCJR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F480XXCAR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F500XXCAR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F540XXCAR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F480XXCLR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F500XXCLR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F540XXCLR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F480XXCDR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
并联谐振频率

在负载电容的规定值下工作的晶体单元的谐振频率。
压电效应

当压力被施加到特定的轴向上时,在特定的轴向上产生的电荷石英晶体上的轴向。相比之下,当电荷是应用在相同的轴向被称为反向压电效应。

402F500XXCDR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F540XXCDR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48033CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50033CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54033CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48033CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50033CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54033CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48033CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50033CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54033CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48033CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50033CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54033CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48033CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50033CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54033CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
425F35B040M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 40MHz
425F35B040M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 40MHz
425F35B026M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 26MHz
425F35B038M4000 CTS晶振 425 MHz Crystal 38.4MHz
425F35E016M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 16MHz
425F35E020M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 20MHz
425F35E024M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 24MHz
425F35E025M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 25MHz
425F35E030M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 30MHz
425F35E040M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 40MHz
425F39B016M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 16MHz
425F39B020M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 20MHz
425F39B024M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 24MHz
425F39B025M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 25MHz
425F39B027M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 27MHz
425F39B030M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 30MHz
425F39B040M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 40MHz
425F39E016M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 16MHz
425F39E020M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 20MHz
425F39E024M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 24MHz
425F39E025M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 25MHz
425F39E027M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 27MHz
425F39E030M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 30MHz
425F39E040M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 40MHz
425F35B026\M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 26MHz
425F35E026M0000 CTS晶振 425 MHz Crystal 26MHz
402F20011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F25011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F25011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F25011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F26011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F26011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F40011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F40011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F40011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F16011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
402F19211CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20411CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F24011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 24MHz
402F25011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F27011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 27MHz
402F27111CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 30MHz
402F30711CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F32011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 32MHz
402F36011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
PPM

百万分率的缩写,一种计算方法,用来指定一个晶体单位的频率公差或稳定性。
Pullability

并联负载谐振频率的变化规范,用ppm表示,A晶体负载电容变化的函数。频率可以在并联谐振中拉电路通过改变负载电容值来实现。

402F38411CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 38.4MHz
402F40011CKR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F16011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
402F19211CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20411CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F24011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 24MHz
402F25011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F27011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 27MHz
402F27111CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 30MHz
402F30711CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F32011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 32MHz
402F36011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F38411CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 38.4MHz
402F40011CJR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F16011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
402F19211CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20411CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F27111CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30711CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F36011CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CAR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F16011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
402F19211CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20411CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F24011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 24MHz
402F25011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F27011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 27MHz
402F27111CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 30MHz
402F30711CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F32011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 32MHz
402F36011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F38411CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 38.4MHz
402F40011CLR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F16011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 16MHz
402F19211CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 19.2MHz
402F20011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 20MHz
402F20411CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 20.48MHz
402F24011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 24MHz
402F25011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 25MHz
402F26011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 26MHz
402F27011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 27MHz
402F27111CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 27.12MHz
402F30011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 30MHz
402F30711CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 30.72MHz
402F32011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 32MHz
402F36011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 36MHz
402F37411CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 37.4MHz
402F38411CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 38.4MHz
402F40011CDR CTS晶振 402 MHz Crystal 40MHz
402F48012IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50012IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54012IKR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48012IJR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50012IJR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54012IJR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48012IAR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50012IAR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
402F54012IAR CTS晶振 402 MHz Crystal 54MHz
402F48012ILR CTS晶振 402 MHz Crystal 48MHz
402F50012ILR CTS晶振 402 MHz Crystal 50MHz
石英晶体单元

一种电子元件,由带电极的谐振腔板和密封腔组成密封包装,具有合适的安装结构,用于频率控制应用。合成石英晶体是由硅和氧[SiO2]组成的六方单晶,在高压和高温下培养在高压釜中。石英晶体具有压电特性,可用于稳定振荡电路的频率。

402