振荡器类型= VCXO |
21振荡器系列符合现行标准
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EQVA12 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVA13 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVA22 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVA23 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVC13 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 3.3V | 174 SVHC | 20,25或50 | |||||
EQVD12 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVD13 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVD22 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVD23 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVE12 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVE13 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVE22 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EQVE23 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV32C3 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV32C4 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV32C6 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV32C8 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV34C3 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV34C4 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV34C6 | SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | |||||
EV34C8 | SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 |