振荡器类型= VCXO |
21振荡器系列符合现行标准
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EQVA12 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVA13 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVA22 |
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SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVA23 |
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SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVC13 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 3.3V | 174 SVHC | 20,25或50 | ||||
EQVD12 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVD13 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVD22 |
![]() |
SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVD23 |
![]() |
SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVPECL - 低压正发射极耦合逻辑 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVE12 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVE13 |
![]() |
SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVE22 |
![]() |
SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EQVE23 |
![]() |
SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | LVDS - 低压差分信号 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV32C3 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV32C4 |
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SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV32C6 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV32C8 |
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SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 3.3V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV34C3 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV34C4 |
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SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV34C6 |
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SMD 5.0mm x 7.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 | ||||
EV34C8 |
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SMD 3.2mm x 5.0mm | VCXO - 压控晶体振荡器 | CMOS - 互补金属氧化物半导体 | 2.5V | 174 SVHC | 50 |